Questa memoria del computer sfida le temperature più estreme ????

Ricercatori americani hanno appena sviluppato una memoria per computer in grado di resistere a temperature estreme. Questa innovazione potrebbe migliorare significativamente l’uso dell’elettronica in ambienti ostili, come i reattori nucleari oesplorazione planetario.

Questa tecnologia, di tipo ECRAM, si basa sul movimento di ioni diossigeno piuttosto che elettroni. A differenza dei semiconduttori tradizionali in silicioche diventano instabili sopra i 150°C, questa memoria funziona perfettamente a oltre 600°C. Utilizza due strati (uno in tantalio, l’altro in ossido di tantalio) separati da un elettrolita solido, consentendo la conservazione stabile delle informazioni. Il meccanismo è simile a quello di una batteria. Gli ioni di ossigeno si muovono tra gli strati sotto tensione, modificando la conduttività del materiale. Questa variazione tra gli stati del conduttore e dell’isolante codifica i dati binari. Il processo è reversibile e può essere ripetuto senza perdita di prestazioni.

Le potenziali applicazioni sono vaste. Questa memoria potrebbe equipaggiare le sonde spaziali destinate a Venere, dove la temperatura raggiunge i 465°C. Sarebbe utile anche nei reattori a fusione o nei motori degli aerei, dove il calore estremo attualmente limita l’uso dell’elettronica.

Questa tecnologia però ha un limite: non funziona al di sotto dei 250°C. Per superare questo problema, i ricercatori intendono integrare un sistema di riscaldamento. Ciò consentirebbe di utilizzare la memoria in ambienti a temperatura ambiente dopo una fase di riscaldamento.

Le prestazioni attuali sono promettenti. In questa fase, il prototipo può memorizzare un singolo bit di informazione per più di 24 ore a 600°C. Ma i ricercatori stimano che, con i miglioramenti, questa memoria potrebbe raggiungere capacità dell’ordine di diversi gigabyte, aprendo la strada a sistemi informatici completi che operano in condizioni estreme.

Infine, questa tecnologia si distingue per il basso consumo energetico. Funziona a tensioni inferiori rispetto ad altre memorie ad alta temperatura, come quelle che utilizzano materiali ferroelettrici. Ciò lo rende una soluzione duratura per applicazioni che richiedono prestazioni e affidabilità.